位于國際創(chuàng)新協(xié)同區(qū)的企業(yè)——瞻芯電子，正式發(fā)布了其自主研發(fā)的首片國產(chǎn)6英寸碳化硅（SiC）晶圓產(chǎn)品。這一重大技術(shù)突破，標(biāo)志著我國在寬禁帶半導(dǎo)體這一關(guān)鍵戰(zhàn)略材料領(lǐng)域取得了里程碑式的進展，產(chǎn)品性能已達到國際先進水平，為國內(nèi)新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、5G通信等高端產(chǎn)業(yè)的核心功率器件自主可控，注入了強勁的“芯”動力。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，因其具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場強高等優(yōu)異物理特性，被譽為“綠色能源芯片”的核心基石。與傳統(tǒng)硅基器件相比，碳化硅功率器件能顯著降低能源轉(zhuǎn)換損耗、提高系統(tǒng)效率、縮小設(shè)備體積，是推動能源革命和產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵技術(shù)。高質(zhì)量、大尺寸的碳化硅單晶襯底制備技術(shù)壁壘極高，此前市場長期被少數(shù)國際巨頭所主導(dǎo)。

此次瞻芯電子成功發(fā)布的6英寸碳化硅晶圓，是在其深厚的技術(shù)積累和持續(xù)的研發(fā)投入下結(jié)出的碩果。據(jù)披露，該產(chǎn)品在晶體質(zhì)量、缺陷控制、表面加工精度等核心指標(biāo)上均表現(xiàn)優(yōu)異，達到了可量產(chǎn)的商業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)，能夠滿足中高壓功率器件（如MOSFET、SBD）的制造要求。這不僅打破了國外技術(shù)壟斷，填補了國內(nèi)在該尺寸高端碳化硅襯底領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化空白，更意味著我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈在源頭材料環(huán)節(jié)獲得了自主保障能力。

業(yè)界專家指出，從4英寸到6英寸的跨越，并非簡單的尺寸放大，而是晶體生長、加工工藝、質(zhì)量控制等一系列技術(shù)的系統(tǒng)性提升。更大尺寸的晶圓能夠顯著提升芯片產(chǎn)出率，降低單個器件的制造成本，對于推動碳化硅器件在新能源汽車電驅(qū)、充電樁、工業(yè)電源等成本敏感型市場的規(guī)模化應(yīng)用至關(guān)重要。瞻芯電子的這一突破，將有力帶動國內(nèi)下游設(shè)計、制造、封測等環(huán)節(jié)的協(xié)同發(fā)展，加速構(gòu)建完整、有競爭力的碳化硅產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

瞻芯電子的成功并非偶然，其所在的國際創(chuàng)新協(xié)同區(qū)提供了匯聚全球智慧、聚焦前沿科技的創(chuàng)新土壤。這一成就的取得，是我國長期堅持科技創(chuàng)新、攻堅核心技術(shù)“卡脖子”難題的縮影，也是市場導(dǎo)向、企業(yè)為主體、產(chǎn)學(xué)研深度融合創(chuàng)新體系效能的有力證明。

隨著“碳中和”目標(biāo)的推進和電氣化進程的加速，市場對高效功率半導(dǎo)體的需求將呈爆發(fā)式增長。瞻芯電子首片國產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓的面世，如同點亮了一簇關(guān)鍵的星火。它預(yù)示著中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)正邁入一個從跟跑到并跑、乃至領(lǐng)跑的新階段，將為全球綠色能源技術(shù)和智能社會發(fā)展，貢獻不可或缺的中國智慧與中國方案。前路漫漫，芯光已現(xiàn)，中國“芯”征程，值得更多期待。